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美国万代 AO3402- N沟道强模式贴片场效应30V 4A
发布时间： 2015/10/6 14:46:57 | 477 次阅读
AO3402 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO3402 General Descript_ion
The AO3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. AO3402 is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO3402L( Green Product ) is offered in a lead-free package.
AO3402 Features
AO3402 VDS (V) = 30V
AO3402 ID = 4 A
AO3402 RDS(ON) < 55mΩ (VGS = 10V)
AO3402 RDS(ON) < 70mΩ (VGS = 4.5V)
AO3402 RDS(ON) < 110mΩ (VGS = 2.5V)
N沟道强模式贴片场效应30V 4A SOT-23贴片封装，AOS全系列代理。
姓名：林小姐
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